卡尔·蔡司股份公司
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2019-12-26
美国
卡尔蔡司（上海）管理有限公司
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He、Ne、Ga三束 GIS Flood Gun
He 离子精修：3~10 nm Ne 离子大面积精修：10~50 nm Ga 离子大面积加工：30 nm He Ion Microscope：~0.5 nm 10~30 kV 0.1~ 100 pA 可进行离子束光刻
10 nm以下甚至5 nm 以下的结构加工与制备，如二维/三维等离激元光学纳米结构在拉曼、红外以及太赫兹谱学等应用；如二维/三维纳米结构制备在微纳电子学乃至分子电子学等应用；如石墨烯、过渡金属二硫族化物、氮化物等单层或多层二维材料的纳米材料的加工、结构精修和功能化；如微纳流控芯片、纳米孔制备用于DNA测序在化学生物学等应用。
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