卡尔·蔡司股份公司
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2019-12-26
美国
卡尔蔡司（上海）管理有限公司
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He、Ne、Ga三束 GIS Flood Gun
He 离子精修：3~10 nm Ne 离子大面积精修：10~50 nm Ga 离子大面积加工：30 nm He Ion Microscope：~0.5 nm 10~30 kV 0.1~ 100 pA 可进行离子束光刻
| 仪器名称 | 聚焦离子束纳米成像与加工系统 | ||
| 规格型号 | Orion Nanofab | ||
| 仪器当前放置位置 | 厦门大学翔安校区能源材料大楼1号楼负一楼1044 | ||
| 仪器功能 | 可实现从纳米到百微米多尺度的图形化加工和精修，可实现非导电性、磁性样品，高景深样品的高精度二次电子成像，可实现样品截面切割和截面成像观察，应用于各种微纳结构的加工制备以及MEMS、集成电路、光学器件的失效分析表征等 | ||
| 性能指标 | He离子束成像分辨率≤0.50nm，加工精度≤10nm；Ne离子束成像分辨率≤1.9nm，加工精度10nm~50nm；Ga离子束成像分辨率≤3nm，加工精度≤30nm；配置Pt、W气体沉积系统和纳米机械手，可实现金属沉积和样品转移 | ||
| 样品要求 | 样品最大尺寸不超过46mm，样品高度不超过5mm | ||
| 仪器说明 | 1、离子源和镜筒：产生离子束和控制离子束聚焦、偏转，实现离子束加 2、真空系统：提供离子束工作所需的高真空腔室环境 3、样品台及其位移控制系统：实现样品台的高精度移动、旋转和倾转 4、二次电子探测器：收集二次电子，对样品进行显微成像 5、Flood Gun 系统：对样品表面进行电中和，避免不导电样品表面的电荷积累 | ||
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09:00-12:00;14:00-17:30
0.5 小时
24 小时
0.5 小时
未授权用户: 0小时； 普通资格用户: 0小时； 资深资格用户: 0小时
未授权: 7 天 21 点； 普通: 7 天 21 点； 资深: 7 天 21 点
30 分钟
30 分钟
30 秒
5 秒
240 秒
5 次/天
1440 分钟
| 用户资格 | 工作时间 | 非工作时间 |
|---|---|---|
| 未授权资格 | ||
| 普通资格 | ||
| 资深资格 |
| 序号 | 标题 | 文件数量 | 添加时间 | 操作 |
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待审核
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| 序号 | 标题 | 链接 | 操作 |
|---|---|---|---|
| 1 | 三束FIB成果展示：Optical responses of metallic plasmonic arrays under the localized excitation | https://doi.org/10.1007/s12274-023-5927-0 | 详情 |
| 2 | 三束FIB成果展示：Voltage-driven control of single-molecule keto-enol equilibrium in a two-terminal junction system | https://doi.org/10.1038/s41467-023-39198-7 | 详情 |
| 3 | 三束FIB成果展示：Gas permeation through graphdiyne-based nanoporous membranes | https://doi.org/10.1038/s41467-022-31779-2 | 详情 |
| 4 | 三束FIB成果展示：Room-temperature logic-in-memory operations in single-metallofullerene devices | https://doi.org/10.1038/s41563-022-01309-y | 详情 |
