卡尔·蔡司股份公司
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2019-12-26
美国
卡尔蔡司（上海）管理有限公司
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He、Ne、Ga三束 GIS Flood Gun
He 离子精修：3~10 nm Ne 离子大面积精修：10~50 nm Ga 离子大面积加工：30 nm He Ion Microscope：~0.5 nm 10~30 kV 0.1~ 100 pA 可进行离子束光刻
仪器名称 | 聚焦离子束纳米成像与加工系统 |
规格型号 | Orion Nanofab |
仪器当前放置位置 | 厦门大学翔安校区能源材料大楼1号楼负一楼1044 |
仪器功能 | 可实现从纳米到百微米多尺度的图形化加工和精修，可实现非导电性、磁性样品，高景深样品的高精度二次电子成像，可实现样品截面切割和截面成像观察，应用于各种微纳结构的加工制备以及MEMS、集成电路、光学器件的失效分析表征等 |
性能指标 | He离子束成像分辨率≤0.50nm，加工精度≤10nm；Ne离子束成像分辨率≤1.9nm，加工精度10nm~50nm；Ga离子束成像分辨率≤3nm，加工精度≤30nm；配置Pt、W气体沉积系统和纳米机械手，可实现金属沉积和样品转移 |
样品要求 | 样品最大尺寸不超过46mm，样品高度不超过5mm |
仪器说明 | 1、离子源和镜筒：产生离子束和控制离子束聚焦、偏转，实现离子束加 2、真空系统：提供离子束工作所需的高真空腔室环境 3、样品台及其位移控制系统：实现样品台的高精度移动、旋转和倾转 4、二次电子探测器：收集二次电子，对样品进行显微成像 5、Flood Gun 系统：对样品表面进行电中和，避免不导电样品表面的电荷积累 |
论文描述模板 | 样品加工使用Nanofab (Carl Zeiss) 聚焦离子束纳米加工系统。仪器配置He，Ne，Ga三束离子，用于不同尺度。离子束加速电压为30 kV。 The sample was processed by using the focused ion beam nanofabrication system Nanofab (Carl Zeiss), which equipped with He, Ne and Ga beams for sample processing at various scales. The acceleration voltage of Ion beam was 30 kV. |
仪器预约须知
(1)样品尺寸不能大于4cm。样品表面要求具有一定导电性，一般为半导体或者导体。
(2)如需图形化加工请提前画好图形结构，预约前请联系管理员，确认加工的尺寸要求，以便更好的开展实验。
(3)请确保样品来源合法合规，禁止测试易制毒、易制爆或者其他违反法律规定的物品，样品的使用、测试责任由本人承担
(4)三束聚焦离子束委托时间为:每周一下午14:00-17:30、每周三上午9:00-12:00 下午14:00-17:30，其余时间为自测。请有自主上机操作权限的同学优先预约自测时间段的机时。
(5)如需长期使用三束FIB设备，可以申请培训、练习和考核流程，考核通过后可以申请自主操作权限。培训请联系管理员。
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09:00-12:00;14:00-17:30
0.5 小时
24 小时
0.5 小时
未授权用户: 0小时； 普通资格用户: 0小时； 资深资格用户: 0小时
未授权: 7 天 21 点； 普通: 7 天 21 点； 资深: 7 天 21 点
30 分钟
30 分钟
30 秒
5 秒
240 秒
5 次/天
1440 分钟
| 用户资格 | 工作时间 | 非工作时间 |
|---|---|---|
| 未授权资格 | ||
| 普通资格 | ||
| 资深资格 |
| 序号 | 标题 | 文件数量 | 添加时间 | 操作 |
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待审核
预约有效
预约完成
预约失约
预约被占用
| 序号 | 标题 | 链接 | 操作 |
|---|---|---|---|
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