江苏鲁汶仪器有限公司
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2020-12-15
江苏徐州
江苏鲁汶仪器有限公司
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1. ICP反应腔室；2. load-lock预真空腔室；3. 射频源系统；4. 真空系统；5. 气路单元；6. 冷切单元
1、可以装载最大样品为8英寸基片单片装载，可以向下兼容6寸，3寸，4寸以及更小尺寸以及碎片，性能稳定； 2、下电极配置水冷和He背冷装置，精确控制下电极工艺温度 3、反应腔室的基础真空度:＜5×10-6 Torr;反应腔室真空漏率＜1mT/min，预真空室检漏率＜10mT/min；系统启动30分钟内本底真空度<2×10-5 Torr； 4、O2、CF4、CHF3、SF6、Ar、N2气路； 5、Si etch Etch rate>300nm/min；Selectivity (to PR)>3:1； Sidewall angle>85°，均匀性 ：<+/-5% over 4”@10mm去边 6、SiO2 etch Etch rate>100nm/min；Selectivity (to Cr)>20:1；Sidewall angle>85°，均匀性 ：<+/-5% over 4”@10mm去边 7、Si3N4 etch Etch rate>70nm/min；Selectivity (to Cr)>20:1；Sidewall angle>85°，均匀性 ：<+/-5% over 4”@10mm去边
| 仪器名称 | 电感耦合等离子刻蚀机 |
| 规格型号 | Leuven HAASRODE-E200A |
| 仪器放置位置 | 厦门大学翔安校区能源材料大楼1号楼1层-微纳制造中心-实验室1 |
| 仪器功能介绍 | 通过感应耦合（ICP）方式产生高密度高功率等离子体，能兼容SiO2和SiN，SI刻蚀工艺，实现二维材料的刻蚀加工 |
| 性能指标 | 1. Si etch Etch rate>300nm/min；Selectivity (to PR)>3:1；Sidewall angle>85°，均匀性 ：<+/-5% over 4”@10mm去边 2. SiO2 etch Etch rate>100nm/min；Selectivity (to Cr)>20:1；Sidewall angle>85°，均匀性 ：<+/-5% over 4”@10mm去边 3. Si3N4 etch Etch rate>70nm/min；Selectivity (to Cr)>20:1；Sidewall angle>85°，均匀性 ：<+/-5% over 4”@10mm去边
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| 样品要求 | 1. 8寸及以下； 2. 反应生成物为气体； |
| 仪器说明 |
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预约悉知：
1、刻蚀新材料需提前与管理员沟通；
2、预约需先提前告知管理员刻蚀样品形态、掩膜层、截止层及基底材料；
3、设备主要刻蚀硅基材料，刻蚀非硅基材料（尤其是金属材料），需与管理员沟通确认；
**** 请登录后查看管理员信息
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08:30-12:00;14:00-17:30
0.25 小时
168 小时
0.25 小时
未授权用户: 12小时； 普通资格用户: 4小时； 资深资格用户: 2小时
未授权: 168 小时 0 点； 普通: 168 小时 0 点； 资深: 168 小时 0 点
35 分钟
35 分钟
30 秒
5 秒
120 秒
5 次/天
1440 分钟
| 用户资格 | 工作时间 | 非工作时间 |
|---|---|---|
| 未授权资格 | ||
| 普通资格 | ||
| 资深资格 |
| 序号 | 标题 | 文件数量 | 添加时间 | 操作 |
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待审核
预约有效
预约完成
预约失约
预约被占用
