Sentech Instruments GmbH
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2019-12-03
德国
安科瑞泰科技（北京）有限公司（代理商）
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反应工艺腔、电感耦合等离子体发生器ICP源、下电极、射频功率源、真空系统（德国Pfeiffer磁浮涡轮分子泵、德国Pfeiffer干泵、潘宁真空规、薄膜电容真空真空计）、气路系统（MFC、截止阀、颗粒过滤器）、预真空室、控制机柜、其他硬件和软件
1、适用于最大8英寸晶圆，并向下兼容6英寸、4英寸和更小不规则片； 2、可沉积高质量的SiO2, Si3N4和SiOxNy等绝缘介质薄膜材料，也可沉积非晶态的碳化硅a-SiC薄膜； 3、工作温度：室温~300°C，典型沉积温度130°C； 4、ICP功率源13.56MHz，~1200W；下电极偏压源13.56Mhz，~300W； 5、膜厚均匀性(片内)≤±3%(4'')， ≤±5%(8'') ； 6、膜厚重复性(片间)≤±3%；
| 仪器名称 | 电感耦合等离子体增强型化学气相沉积系统（ICPECVD） Inductively coupled plasma enhanced chemical vapor deposition（ICP-PECVD） |
| 规格型号 | 德国Sentech SI 500D |
| 仪器放置位置 | 厦门大学翔安校区能源材料大楼1号楼1层-微纳制造中心-实验室1 |
| 仪器功能介绍 | 该设备主要适用于在半导体（硅和三五化合物）、氧化硅和有机（聚合物和光刻胶）衬底上，用高密度等离子体沉积高质量的绝缘介质膜（SiO2, Si3N4和SiOxNy）、非晶硅膜和碳化硅膜 |
| 性能指标 | 1、适用于最大8英寸晶圆，并向下兼容6英寸、4英寸和更小不规则片； 2、工作温度：室温~300°C，典型沉积温度130°C； 3、ICP功率源13.56MHz，~1200W；下电极偏压源13.56Mhz，~300W； 4、膜厚均匀性(片内)≤±3%(4'')， ≤±5%(8'') ； 5、膜厚重复性(片间)≤±3%； |
| 样品要求 | 1、样片直径可为8英寸、6英寸、4英寸、更小的晶圆或不规则碎片；不规则碎片不小于10mm x 10mm； 2、如需在整片晶圆上沉积，则需额外提供用于工艺试验、SEM电镜检测的样片（可为碎片、或可破片的晶圆）； |
| 仪器说明 | 1、该设备构成：反应腔、上电极（ICP源）、下电极（载物台）、真空系统、气路系统、射频源、预真空室、控制机柜、软件、配电箱等； 2、配置下电极偏压选项，主要用于改善台阶覆盖、实现无空穴的沟槽填埋Trench filling； 3、配有用于6英寸晶圆、4英寸晶圆的夹具（晶圆直接背氦冷却）、用于更小晶圆或不规则碎片的托盘； |
注意：PECVD镀膜~2um需要进行干法清洗。
预约时：
如果镀膜厚度0.5nm~1um，需要干法清洗30min
如果镀膜厚度1um~2um，需要干法清洗1h，
预约时把干法清洗的时间算进去，以防止后面学生时间错不开。清洗时间不算机时费用（会统一扣除）。
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08:30-12:00;14:00-17:00
0.5 小时
168 小时
0.5 小时
未授权用户: 0小时； 普通资格用户: 0小时； 资深资格用户: 0小时
未授权: 720 小时 0 点； 普通: 720 小时 0 点； 资深: 720 小时 0 点
30 分钟
60 分钟
30 秒
5 秒
120 秒
5 次/天
1440 分钟
| 用户资格 | 工作时间 | 非工作时间 |
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| 未授权资格 | ||
| 普通资格 | ||
| 资深资格 |
| 序号 | 标题 | 文件数量 | 添加时间 | 操作 |
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