SPTS
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2022-09-16
美国
镭社半导体设备（上海）有限公司
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适用8寸及8寸以下晶圆、碎片的氧化硅腐蚀 光片： 刻蚀速率：＞100A/min； 片内均匀性：<10% (R/2x)，在＞100A/min刻蚀条件下； 片间重复性：<10% (R/2x)，在＞100A/min刻蚀条件下； 结构片： 安全高效释放氧化硅，释放后器件结构无粘接。
本设备主要用于光电子、MEMS等领域以气相的方式腐蚀氧化硅牺牲层，使用HF气体进行氧化硅刻蚀，氧化硅表面与HF反应，生成SiF4分子。这种工艺主要用来对氧化硅的同向性刻蚀。
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09:00-12:00;14:00-18:00
0.25 小时
168 小时
0.25 小时
未授权用户: 12小时； 普通资格用户: 0小时； 资深资格用户: 0小时
未授权: 720 小时 0 点； 普通: 720 小时 0 点； 资深: 720 小时 0 点
15 分钟
15 分钟
30 秒
5 秒
120 秒
5 次/天
1440 分钟
| 用户资格 | 工作时间 | 非工作时间 |
|---|---|---|
| 未授权资格 | ||
| 普通资格 | ||
| 资深资格 |
| 序号 | 标题 | 文件数量 | 添加时间 | 操作 |
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| 序号 | 标题 | 链接 | 操作 |
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