美国CVD equipment corporation
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2021-01-11
美国
美国CVD equipment corporation
叶进裕
1、该设备构成反应炉体、石英管、控制系统(含加热元件和PID电子元件)、气路系统(CH4、C2H4、H2、Ar)、壁挂式的尾气烧结炉、软件、配电箱等; 2、配有等离体系统及对应的石英管、密封圈
1、腔体内温度最高可达1100℃,加热部件寿命≥10000小时 2、三个独立加热、独立调控的恒温区 3、可控升温速率≥20℃/min,降温速率≥25℃/min 4、基本真空≤20mTorr
仪器名称(中文/英文) | 化学气相沉积(CVD) Chemical vapor deposition |
仪器状态 | 在用 |
规格型号 | ET3000EXT |
仪器放置位置 | 厦门大学翔安校区能源材料大楼1号楼1层-微纳制造中心-实验室1 |
仪器功能介绍 | 1、在铜箔、镍片等催化性基底上以高温~1000℃热分解气源方式直接沉积高质量单层石墨烯 2、可使用等离子功能,在低温~400℃进行石墨烯沉积 |
性能指标 | 1、适用于最大可兼容直径4英寸晶圆及以下或方片150x100mm及以下、更小的晶圆和不规则碎片; 2、腔内温度最高可达1100℃; 3、本底真空:≤20mTorr; 4、工艺可控真空范围:200mTorr~500mTorr(任意可调) 5、1000Torr和10Torr双压力计可选,可实现常压、低压工艺 |
样品要求 | 1、样片最大可兼容直径4英寸晶圆及以下或方片150x100mm及以下 2、铜箔厚度建议≥25μm |
仪器说明 | 1、该设备构成反应炉体、石英管、控制系统(含加热元件和PID电子元件)、气路系统(CH4、C2H4、H2、Ar)、壁挂式的尾气烧结炉、软件、配电箱等; 2、配有等离体系统及对应的石英管、密封圈 |
1、提前预处理好衬底
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09:00-12:00;14:00-18:00
0.5 小时
168 小时
0.5 小时
未授权用户: 24小时; 普通资格用户: 24小时; 资深资格用户: 24小时
未授权: 720 小时 0 点; 普通: 720 小时 0 点; 资深: 720 小时 0 点
15 分钟
15 分钟
30 秒
5 秒
120 秒
5 次/天
1440 分钟
用户资格 | 工作时间 | 非工作时间 |
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未授权资格 | ||
普通资格 | ||
资深资格 |
序号 | 标题 | 文件数量 | 添加时间 | 操作 |
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序号 | 标题 | 链接 | 操作 |
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