veeco
S2402085
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2022-12-21
美国
VEECO
李秀婷
1、LOAD-LOCK进样腔体 2、机械手臂自动传输样品，具有进片和出片安全互锁 3、配备独立的真空系统，前级泵转速抽速240L/s，真空度优于5×10-6torr 4、具有热法和等离子法两种模式实现原子层生长薄膜，可实现热法与等离子体法沉积，在同一个工艺中可交替使用 5、具有等离子体冷却系统，冷水机冷却，温度控制10℃～24℃，控制精度+/1℃
1、满足样品尺寸8英寸，可兼容4、6英寸及以下碎片的晶圆片 2、ICP射频功率13.56MHz，使用功率0~300W可以自动调节 3、工艺加热系统：样品加热温度最高500℃，控温精度优于±1℃ 4、独立的工艺气体系统：等离子体工艺气体5路，每路均带有气体质量流量控制器，支持O2、N2、Ar、NH3、H2气体，量程范围0～100sccm，控制精度<±1% 5、前驱物钢瓶具有独立加热、保温及控温系统，加热温度200℃，控制精度±1℃ 6、独立前驱物通道系统：6路完全独立的管道
| 电感耦合等离子体增强原子层沉积（PEALD） | ||
| 仪器详细信息 | 仪器名称（中文/英文） | 电感耦合等离子体增强原子层沉积（PEALD） Plasma enhance atomiclayer deposition |
| 仪器状态 | 在用 | |
| 规格型号 | FIJI F200 | |
| 仪器放置位置 | 洁净室1139-实验室1 | |
| 仪器功能介绍 | 1、在半导体衬底（例如硅、化合物半导体）或有机衬底上沉积高质量、低应力薄膜、耐刻蚀的SiN薄膜； 2、可实现高深宽比（50:1）SiN薄膜填充 | |
| 性能指标 | 1、适用于最大8吋晶圆、并向下兼容6吋、4吋、更小的晶圆和不规则碎片； 2、沉积温度：室温~+500°C；典型沉积温度：+350°C/+400°C； 3、本底真空：≤1E-6 torr； 4、ICP功率源13.56MHz，300W； 5、厚均匀性（片内）：≤±3% (8”)；膜厚重复性（片间）：≤±3%； | |
| 样品要求 | 1、样片直径可为8吋、6吋、4吋、或更小的晶圆、或不规则碎片；不规则碎片不小于10mmx10mm； 2、填充性好的SiN薄膜的成膜温度为400℃；常规绝缘SiN薄膜成膜温度350℃ 3、应提供详细的样品说明（包括衬底材质、尺寸、表面状况等）和制样要求（包括沉积膜种类、膜厚度、沉积温度、成膜性能要求等） | |
| 仪器说明 | 1、该设备构成：反应腔、上电极（ICP源）、真空系统、气路系统、射频源、预真空室、控制机柜、软件、配电箱等； 2、独立的工艺气体系统：等离子体工艺气体5路，每路均带有气体质量流量控制器，支持O2、N2、Ar、NH3、H2气体，量程范围0～100sccm，控制精度<±1% 3、前驱物钢瓶具有独立加热、保温及控温系统，加热温度200℃，控制精度±1℃ 4、独立前驱物通道系统：6路完全独立的管道 | |
目前PEALD主要沉积SiN薄膜，有两支base recipe，一支用于沟槽填充，一支用于常规blanket wafer。
有需要镀膜需要提前2天联系管理员，李秀婷，15060733887
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09:00-12:00;14:00-18:00
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