北京北方华创微电子装备有限公司
----
----
2024-12-25
----
----
----
GSE S200刻蚀机由以下部分组成: 2.1 工艺模块:1套 2.1.1真空反应室 2.1.2等离子体系统 2.1.3气路输送系统 2.1.4排气系统 2.1.5温度控制系统 2.2 传输模块 2.3 软件控制模块
1、真空反应室： 腔室本底真空：< 0.5 mT 腔室漏气率：< 1.0 mTorr/min 工艺控压范围：5~85 mTorr 控压能力：2mT@50sccm Ar(不启辉状态) 工艺控压精度：0.1 mTorr 静电卡盘：8英寸，带有背 He 冷却 2、等离子体系统： ICP 上射频源电源： 1500W，13.56MHz 下射频源电源 ：300W，13.56MHz，最低可输出 1W，精度 0.1W 匹配稳定时间： < 3 s 射频精确度 ：±1% 设定值或 ±5W（设定值>500W） 反射功率 ：<3W（5-100W）或 3%设定值（设定值>100W） 3、气路输送系统 气路 气体 流量（sccm） Gas1 Ar 200 Gas2 O2 200 Gas3 Cl2 200 Gas4 N2 200 Gas5 SF6 200 Gas6 CF4 200 Gas7 BCl3 200 Gas8 H2 100 Gasbox 漏气率 < 0.5 mTorr/mi反应腔室温控系统： 4、腔室温度控制 室温~100℃ 5、 基座温控系统：样品台具有 He 背冷； 样品台 Chiller 控温范围 -20~+90℃ 下电极基座控温精度 ±0.5℃ 下电极基座控温均匀性 ±1℃
GSE S200 感应耦合等离子体刻蚀机具有稳定可靠的工艺性能、宽阔的工艺窗口和良好的工艺兼容性，主要用于 直径 8 英寸圆片及向下兼容（8"、6"、4"、2"及以下尺寸的整片及不规则小片）的多功能刻蚀。 GSE S200 感应耦合等离子体刻蚀机是感应耦合高密度等离子体干法刻蚀机（Inductively Coupled Plasma Etcher）， 采用半导体刻蚀机的成熟技术，独特设计的等离子体源，实现了对腔室内等离体密度的均匀控制，满足刻蚀工艺的要 求。 GSE S200 感应耦合等离子体刻蚀机采用模块化设计，整机包括工艺模块（PM: Process Module）和传输模块（TM: Transfer Module）。晶片在工艺模块内进行刻蚀，工艺时，在晶片上方产生等离子体，对晶片进行刻蚀。传输模块装有 机械手，实现晶片在其和工艺模块之间的传输。 GSE S200 感应耦合等离子体刻蚀机具备智能化的软件操作系统，实现单片晶圆的自动刻蚀工艺。
**** 请登录后查看管理员信息
****
08：00-18:00
0.5 小时
168 小时
0.5 小时
未授权用户: 24小时； 普通资格用户: 2小时； 资深资格用户: 0小时
未授权: 168 小时 0 点； 普通: 168 小时 0 点； 资深: 168 小时 0 点
15 分钟
15 分钟
15 秒
5 秒
120 秒
5 次/天
1440 分钟
| 用户资格 | 工作时间 | 非工作时间 |
|---|---|---|
| 未授权资格 | ||
| 普通资格 | ||
| 资深资格 |
| 序号 | 标题 | 文件数量 | 添加时间 | 操作 |
|---|
待审核
预约有效
预约完成
预约失约
预约被占用
| 序号 | 标题 | 链接 | 操作 |
|---|
