Picosun
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2019-11-14
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戴彬
序号 货物名称 规格/型号 数量 单位 1 原子层沉积系统主机 Picosun™ R-200 Adv Thermal LC 1 套 2 反应腔 RC-200 6inlet Advanced 1 套 3 常温源脉冲系统 Picosolution™ 100 in source cabinet 3 套 4 加热源脉冲系统 Picohot™ 200 source system 2 套 5 气态源脉冲系统 Picogases™ connection（O3&NH3） 2 套 6 臭氧发生器 Picozone™ PZ-100 (InUsa AC2025) 1 套 7 预真空系统（含独立真空泵） Picoloader™ Man SWH LL (Vacom) 1 套 8 颗粒捕捉器及后燃阱 Pump line + Trap + After burner 1 套 9 干式真空泵（用于主机） Dry pump (Hanbell PS602) 1 套 10 干式真空泵（用于预真空室） Dry Pump (Edwards nXds 10i) 1 套 11 备品备件及专用工具 垫片，专用工具 1 套
1、适用于最大8英寸晶圆、并向下兼容6英寸、4英寸、更小的晶圆和不规则碎片； 2、工艺温度：室温–500°C，控制精度在±1 ℃； 3、设备配3路液态源，分别为TMA、H2O、BDEAS，配2路加热源，分别为TEMAHf和TiCl4，最高加热温度为200 ℃，控制精度为±1 ℃，配2路气体源，分别为NH3和O3； 4、可成6种膜，分别为SiO2、HfO2、TiO2、TiN、Al2O3、AlN； 5、膜厚均匀性（片内）：≤±2% (4英寸)；膜厚重复性（片间）：≤±2%； 6、真空腔外壁为全冷壁，在设备的正常运行时，真空腔外壁温度不超过60 ℃； 7、腔体漏率低于10-7 mbar·L/s； 8、正常的工艺操作过程中真空腔压力始终大于反应腔压力，以防止前驱体的泄漏。
| 仪器名称 | 原子层沉积（ALD） Atomic Layer Deposition |
| 规格型号 | PICOSUN™ R-200 Adv |
| 仪器放置位置 | 厦门大学翔安校区能源材料大楼1号楼1层-微纳制造中心-实验室1 |
| 仪器功能介绍 | 该设备配置3路液态源（TMA、TiCl4、H2O）、2路加热源（BDEAS、TEMAHf）和2路气体源（O3、NH3），可成6种膜，分别为SiO2、HfO2、TiO2、TiN、Al2O3、AlN。 |
| 性能指标 | （1）适用于最大8英寸晶圆、并向下兼容6英寸、4英寸、更小的晶圆和不规则碎片； （2）工艺温度：室温–500°C，控制精度在±1 ℃； （3）膜厚均匀性（片内）：≤±2% (4英寸)；膜厚重复性（片间）：≤±2%； （4）膜厚控制精度±1Å。 |
| 样品要求 | （1）样片直径可为8英寸、6英寸、4英寸、或更小的晶圆、或不规则碎片； （2）衬底材料需要耐受成膜温度，Al2O3成膜温度低温80℃或300℃，AlN成膜温度375℃，HfO2成膜温度250℃，SiO2成膜温度300℃，TiN成膜温度450℃，TiO2成膜温度150℃或80℃； （3）样时应提供详细的样品说明（包括衬底材质、尺寸、表面状况等）和制样要求（包括沉积膜种类、膜厚度、沉积温度、成膜性能要求等）。 |
| 仪器说明 | （1）该设备构成：反应腔、载物台及升降系统、真空系统、前驱体源系统、臭氧发生器，预真空室、触摸屏电脑、软件、配电柜等； （2）配置showerhead喷淋器和扩散增强器，主要用于改善膜层均匀性及台阶覆盖、实现无空穴的沟槽填埋Trench filling； （3）配有用于8英寸晶圆、6英寸晶圆、4英寸晶圆的夹具、用于更小晶圆或不规则碎片的托盘； （4）实验结束后，请使用清洗功能对反应腔及管路进行清洗。 |
各材料平均粗糙度<300pm：
台阶覆盖能力侧壁厚度>顶部90%：
8英寸内膜厚不均匀性<5%：
1.如需培训请联系管理员；
2.样品最大支持8英寸，向下兼容，高度不超过5mm；
3.只能沉积TiO2、SiO2、HfO2、Al2O3、TiN、AlN等材料；
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09:00-12:00;14:00-18:00
0.5 小时
168 小时
0.5 小时
未授权用户: 0小时； 普通资格用户: 0小时； 资深资格用户: 0小时
未授权: 720 小时 0 点； 普通: 720 小时 0 点； 资深: 720 小时 0 点
30 分钟
30 分钟
30 秒
5 秒
120 秒
5 次/天
1440 分钟
| 用户资格 | 工作时间 | 非工作时间 |
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| 未授权资格 | ||
| 普通资格 | ||
| 资深资格 |
| 序号 | 标题 | 文件数量 | 添加时间 | 操作 |
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