ZEISS
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2019-09-25
德国
卡尔蔡司管理有限公司
戴彬
sigma300+ELPHY Quantum,干泵,分子泵,离子泵,样品腔,扫描电镜工作站系统,
1、样品尺寸最大为20x20mm; 2、分辨率:二次电子成像,1nm@15kV/1.6nm@1kV; 3、光刻精度小于100nm 。
仪器名称(中文/英文) | 电子束曝光系统 Electron beam lithography |
规格型号 | Zeiss sigma300+Raith ELPHY Quantum |
仪器放置位置 | 厦门大学翔安校区能源材料大楼1号楼 微纳制造中心实验室4 |
仪器功能介绍 | 1、获取样品的微纳米级高分辨形貌; 2、可进行二次电子与背散射电子成像; 3、光刻精度小于100nm |
性能指标 | 1、分辨率:二次电子成像,1nm@15kV/1.6nm@1kV; 2、光刻精度小于100nm |
样品要求 | 1、样品中不得含有水分,多孔类或易潮解的样品,需进行真空干燥处理,生物样品需进行冷冻干燥制样; 2、样品应具有导电性,若样品不导电或导电性差,则需要自行镀金、铂碳等导电膜的处理。 3、送样测试建议提供文献图片和符合要求的图片,或填写详细测试预约表,每个区域提供3-4张不同放大倍数满足测试要求的图片,如不能满足要求,拍摄多区域图像证实样品真实情况,寄送样品质量应大于20mg。 |
仪器说明 | 1、该仪器设备配有独立的二次电子探测器(ET和Inlens)和背散射电子探测器(HDBSD),可选择接受二次电子、背散射电子进行成像 2、EBL系统,光刻精度小于100nm |
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09:00-12:00;14:00-18:00
0.5 小时
168 小时
0.5 小时
未授权用户: 24小时; 普通资格用户: 12小时; 资深资格用户: 0小时
未授权: 7 天 18 点; 普通: 7 天 18 点; 资深: 7 天 18 点
30 分钟
30 分钟
30 秒
5 秒
120 秒
5 次/天
1440 分钟
用户资格 | 工作时间 | 非工作时间 |
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未授权资格 | ||
普通资格 | ||
资深资格 |
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