嘉庚创新实验室公共支撑平台晶圆级对准光刻机开放使用的通知

    嘉庚创新实验室晶圆级对准光刻机（SUSS MA8BA8 Gen4）已完成装机调试（图1），安装于厦门大学翔安校区能源材料大楼1号楼洁净室实验室2，现已开放使用。

图1 晶圆级对准光刻机

    本仪器适用于最大8英寸晶圆、并向下兼容6英寸、4英寸、2英寸或更小的晶圆和不规则碎片。LED光源，波长范围：350~450nm，可调整范围10%-100%；光强≥35 mW/cm2 (UV365nm)（8英寸范围内）；光强均匀性：≤±2.5% （8英寸范围@365nm）。套刻精度：正面套刻精度≤±0.1um；背面套刻精度≤±0.5um。紫外曝光分辨率(200mm 样品，胶厚1 um)：真空接触下：分辨率≤0.8um；软接触模式下：分辨率≤2.0um；100um的曝光距离下，分辨率≤8um。支持恒定功率、恒定剂量曝光。晶圆级对准光刻机的掩模对准光刻系统主要用于MEMS、先进封装、三维封装、化合物半导体、功率器件、太阳能、纳米技术和晶圆片级光学系统等领域的光刻应用。