序号 | 名称 | 技术参数 | 备注 |
1 | 光谱范围 | 193~1000nm | / |
2 | 光源 | 氘灯(10W)+卤素灯(20W) | / |
3 | 光谱测试间隔 | 1nm(测试数据点800个) | / |
4 | 自动变角 | 45~90度自动变角,变角准确性0.02度,重复性0.01度 | / |
5 | 自动平移 | 自动XY样品台(12英寸圆样品托) 300mm X/Y自动平移,最小步长2.5μm | / |
6 | Z轴 | 自动移动,最大行程18mm,最小步长1μm | / |
7 | 光斑尺寸 | 普通光斑4mm直径,微光斑300μm直径 | / |
8 | 测量参数 | 分光椭偏: Ψ:(0-90°) 和 Δ:(0-360°) N, C, 和 S 强度:透射及反射百分比 退偏振:退偏振百分比 广义椭偏: AnE, Asp,和Aps (广义琼斯矩阵的3个量) 穆勒矩阵: 穆勒矩阵的所有15个归一化元(对m11归一化) | / |
9 | 测量时间 | 单点标准椭偏测量最快0.3秒,典型测量时间为1~5秒 | / |
10 | 测试准确性 | 在直射状态下,测量空光束 Ψ:45 ± 0.02° Δ:0 ± 0.05° 退偏振: 0% ± 0.5% 15个归一化穆勒矩阵元 对角线: 1 ± 0.002 非对角线: 0 ± 0.002 *10秒平均时间测量,95%的被测波长满足该指标 | / |
11 | 厚度的测量重复性 | 膜厚测量优于0.005nm(30次SiO2厚度测量的标准偏差,样品为带有自然氧化层的硅片) | / |
12 | 折射率n的测量重复性精度 | 折射率n(632.8nm)≤0.0005(30次石英基底的标准偏差1δ) | / |
13 | 俯仰调节 | 手动俯仰调节,内置四象限探测器辅助,用于调整楔形样品,调准样品的表面的俯仰度 | / |
14 | 样品固定方式 | 真空吸附固定 | / |
15 | 面扫描 | 适用 | / |
1.多角度测量材料反射率
2.测量材料光学常数
3.单点或者面扫测量薄膜厚度及均匀性