激光器：中心波长1342 nm 、平均功率：3 w 、寿命20000 h;

运动机构：平台X/Y/Z/Θ轴行程400 mm/350 mm/10 mm/120 deg, 分辨率0.05 um/0.001 deg;

CCD: 广角相机 2.5 X，对位相机 20 X，加工相机 50 X；

扩膜机: 10-70 mm, 加热范围： 室温-80℃，上顶高度不低于2.3 cm;

加工尺寸：使用于八寸及八寸以下；

电阻率大于0.01欧姆.cm、厚度为100-1000μm硅晶圆

1、设备用途及组成

1.1. 名称：硅晶圆激光切割设备；

1.2. 用途：用于在硅晶圆上进行隐形切割加工；

1.3.设备组成：红外固体激光器（1台）、冷水机（1台）、运动机构（1套）、光学系统（1套）、CCD影像系统（1套）、整体机构（1套）、电气控制系统（1套）、软件系统（1套）、其他附属（1套）、扩膜机（1套）。

2、主要技术指标

2.1.晶圆尺寸：2~8英寸兼容，晶圆厚度：满足100-1000μm的硅基晶圆切割；

2.2.切割方式：正面激光隐切，全自动切割，自动上下片，片盒进片盒出；

2.3.对焦方式：自动对焦，对焦精度：±1μm；

2.4.对位精度≤±2μm（焦点至切割道中线偏移量）；

2.5.平台X、Y、Z、θ轴行程≥400mm,350mm,10mm，120deg；

2.6.平台X、Y、Z、θ轴分辨率≤0.05μm,0.05μm, 0.05μm,0.001deg；

2.7. X、Y轴定位精度≤±1μm，Z轴定位精度≤±1μm；

2.8. X、Y、轴重复定位精度≤±0.5μm，Z轴重复定位精度≤±0.5μm；

2.9.综合平面度: 4μm/全程；

2.10.直线度: 3μm/全程；

2.11.切割速度：0-800mm/s；

2.12.激光器种类：红外激光器（波长：1342nm），激光器输出功率≥3W；

2.13.激光器寿命≥20000小时；

2.14.激光器切割线宽≤5μm；

2.15.崩边（单边崩边@80μm切割道）≤5μm；

2.16.产能≥2片/h（1mm*1mm芯粒@8英寸厚度300um晶圆）；

2.17.CCD相机：广角相机，像素≥500W；对位相机，影像倍率20X，像素≥130W；加工相机，影像倍率20X，像素≥130W；

2.18.软件控制系统：Windows 10；

2.19.支持参数档导入与在线编辑功能；

2.20.CCD影像手动/自动对位功能；

2.21.在线IO端口实时监测功能；

2.22.切割效果在线测量功能；

2.23.激光功率测量功能；

2.24.设备故障自诊断，并能自动急停；

2.25.设备支持操作权限阶梯分级，Log信息；

2.26.支持SECS网络协议，扫码读取功能；

2.27.支持多步径划片功能，同一晶圆中不同芯片尺寸可自动划片；

2.28.设备稼动率（Up Time）：≥95%；

2.29.无故障工作时间（MTBF）：≥550h；

2.30.设备满足国际国内安全标准要求；

2.31.设备运行过程中的功率、温度、气体压力、各部件的动作、故障等重要数据及其变化的过程均可以电子文档的形式记录在案，方便工艺结束后分析参数并完善工况,实现生产档案管理；

2.32.有安全显示及系统各部分状态显示模块，可以实时查看系统运行状态和系统当前安全状态；

2.33.设备具有紧急停止开关，便于操作者使用，且按下后不会造成设备的损坏及故障。

2.34 配置扩膜机，提供产品说明书。

2.35 UPS：核心元器件断电后供电至少30分钟；