基本信息

  • 生产厂商 SPTS
  • 资产编号
  • 资产负责人 ----
  • 购置日期2022-09-16
  • 仪器产地美国
  • 仪器供应商镭社半导体设备（上海）有限公司
  • 购买经办人
  • 主要配件
  • 主要参数适用8寸及8寸以下晶圆、碎片的氧化硅腐蚀 光片： 刻蚀速率：＞100A/min； 片内均匀性：<10% (R/2x)，在＞100A/min刻蚀条件下； 片间重复性：<10% (R/2x)，在＞100A/min刻蚀条件下； 结构片： 安全高效释放氧化硅，释放后器件结构无粘接。

仪器介绍


本设备主要用于光电子、MEMS等领域以气相的方式腐蚀氧化硅牺牲层，使用HF气体进行氧化硅刻蚀，氧化硅表面与HF反应，生成SiF4分子。这种工艺主要用来对氧化硅的同向性刻蚀。