规格型号

Virgo-D

仪器放置位置

厦门大学翔安校区能源材料大楼1号楼1层-微纳制造中心-实验室1

仪器功能介绍

圆级级干式去胶机主要应用于半导体制造工艺中，通过真空环境下利用射频发生器使氧气、氮气等气体产生活性等离子体，与光刻胶发生化学和物理反应，使之分解和挥发排出，从而清除经过电子束曝光、紫外曝光、高温烘烤、ICP刻蚀等微纳加工后晶圆表面的光刻胶，也可用于表面活化、清除刻蚀工艺的残留物和光刻工艺留下的浮渣，具有良好的均匀性、重复性和可控性。

性能指标

1、真空性能:腔体底压≤15mTorr，漏率≤5mTorr/min
2、工艺温控性能：配置工艺载片台具备必须的温度控制系统，可控温度范围为50℃ - 250℃，具有抗射频等外界干扰措施，保证工艺温度误差为±5℃，温度响应速度为2℃/s以上；
3、射频频率13.56 MHz，功率范围为0-2000W可调，输出功率稳定性≤±2.0%；
4、配备4路气体（氧气、氩气、氮气、四氟化碳），每路工艺气路均配有质量流量计MFC、颗粒过滤器和气动截止阀；各路气体MFC量程分别为0-2000sccm（O₂），0 - 200sccm（CF₄ /N₂/Ar），控制精度±1%，同时具备自动气压调节功能；
5、光刻胶去胶速率：工艺温度≤200℃，使用9μm厚度的负性光刻胶,每片测量5点(距边 7mm)，去胶速率≥250nm/min，均匀性≤5%，重复性≤5%；

6、PI去胶速率：工艺温度≤200℃，使用15μm厚度的PI材料，,每片测量5点(距边 7mm)，去胶速率≥1500nm/min，均匀性≤7%，重复性≤7%；

7、BCB去胶速率：工艺温度≤200℃，使用3.5μm厚度的BCB材料，,每片测量5点(距边 7mm)，去胶速率≥250nm/min，均匀性≤5%，重复性≤5%；

样品要求

1、直径为8英寸以下晶圆或不规则碎片；  

仪器说明

1、真空系统：

（1）配备全新干泵，真空泵抽速>500m3/h，极限真空≤15mTorr，均可通过远程模式和本地模式控制；

（2）真空必须满足工艺要求，工艺腔体的本底压力≤15mtorr，工艺腔的漏率需≤5 mtorr/min，设备具有自动漏率检测功能；

2、反应腔室：（1）铝制反应腔室，无焊缝、低漏率；真空漏率≤ 4.2mTorr/min；

（2）可以加工8英寸硅片，并可通过夹具向下兼容小尺寸（6寸、4寸）晶圆。

3、等离子体激发装置：（1）射频源发生器、并配置自动匹配盒；

（2）发生器：频率13.56 MHz，功率0-2000W，范围内可调功率；

4、气路系统：（1）4路工艺气体管路，包括 N₂、O₂、CF₄、Ar工艺气体；

（2）每路工艺气路均配有质量流量计MFC、颗粒过滤器和气动截止阀；

（3）各路气体MFC量程分别为0-2000sccm（O₂），0-200sccm（CF₄ /N₂）；

（4）质量流量控制器精度±1%；

5、工艺温度控制：配置工艺载片台具备必须的温度控制系统，可控温度范围为50℃ - 250℃，具有抗射频等外界干扰措施，保证工艺温度误差为±5℃，温度响应速度为2℃/s以上；

6. 控制系统与软件：工艺操作软件可用程序控制气体流量、气压、等离子源功率等工艺参数，工艺程序可自动运行Recipe，也可人工干预和控制。可编辑、调用、拷贝相关工艺程序，具有数据记录、输出功能；可以设置不同的用户级别。