基本信息

  • 生产厂商 美国CVD equipment corporation
  • 资产编号
  • 资产负责人 ----
  • 购置日期2021-01-11
  • 仪器产地美国
  • 仪器供应商美国CVD equipment corporation
  • 购买经办人叶进裕
  • 主要配件 1、该设备构成反应炉体、石英管、控制系统（含加热元件和PID电子元件）、气路系统（CH4、C2H4、H2、Ar）、壁挂式的尾气烧结炉、软件、配电箱等； 2、配有等离体系统及对应的石英管、密封圈
  • 主要参数1、腔体内温度最高可达1100℃，加热部件寿命≥10000小时 2、三个独立加热、独立调控的恒温区 3、可控升温速率≥20℃/min，降温速率≥25℃/min 4、基本真空≤20mTorr

仪器介绍

仪器名称（中文/英文）化学气相沉积（CVD）
Chemical vapor deposition
仪器状态在用
规格型号ET3000EXT
仪器放置位置厦门大学翔安校区能源材料大楼1号楼1层-微纳制造中心-实验室1
仪器功能介绍1、在铜箔、镍片等催化性基底上以高温~1000℃热分解气源方式直接沉积高质量单层石墨烯
2、可使用等离子功能，在低温~400℃进行石墨烯沉积
性能指标1、适用于最大可兼容直径4英寸晶圆及以下或方片150x100mm及以下、更小的晶圆和不规则碎片；
2、腔内温度最高可达1100℃；
3、本底真空：≤20mTorr；
4、工艺可控真空范围：200mTorr~500mTorr（任意可调）
5、1000Torr和10Torr双压力计可选，可实现常压、低压工艺
样品要求1、样片最大可兼容直径4英寸晶圆及以下或方片150x100mm及以下
2、铜箔厚度建议≥25μm
仪器说明
1、该设备构成反应炉体、石英管、控制系统（含加热元件和PID电子元件）、气路系统（CH4、C2H4、H2、Ar）、壁挂式的尾气烧结炉、软件、配电箱等；
2、配有等离体系统及对应的石英管、密封圈