| 电感耦合等离子体增强原子层沉积（PEALD） | ||
| 仪器详细信息 | 仪器名称（中文/英文） | 电感耦合等离子体增强原子层沉积（PEALD） Plasma enhance atomiclayer deposition |
| 仪器状态 | 在用 | |
| 规格型号 | FIJI F200 | |
| 仪器放置位置 | 洁净室1139-实验室1 | |
| 仪器功能介绍 | 1、在半导体衬底（例如硅、化合物半导体）或有机衬底上沉积高质量、低应力薄膜、耐刻蚀的SiN薄膜； 2、可实现高深宽比（50:1）SiN薄膜填充 | |
| 性能指标 | 1、适用于最大8吋晶圆、并向下兼容6吋、4吋、更小的晶圆和不规则碎片； 2、沉积温度：室温~+500°C；典型沉积温度：+350°C/+400°C； 3、本底真空：≤1E-6 torr； 4、ICP功率源13.56MHz，300W； 5、厚均匀性（片内）：≤±3% (8”)；膜厚重复性（片间）：≤±3%； | |
| 样品要求 | 1、样片直径可为8吋、6吋、4吋、或更小的晶圆、或不规则碎片；不规则碎片不小于10mmx10mm； 2、填充性好的SiN薄膜的成膜温度为400℃；常规绝缘SiN薄膜成膜温度350℃ 3、应提供详细的样品说明（包括衬底材质、尺寸、表面状况等）和制样要求（包括沉积膜种类、膜厚度、沉积温度、成膜性能要求等） | |
| 仪器说明 | 1、该设备构成：反应腔、上电极（ICP源）、真空系统、气路系统、射频源、预真空室、控制机柜、软件、配电箱等； 2、独立的工艺气体系统：等离子体工艺气体5路，每路均带有气体质量流量控制器，支持O2、N2、Ar、NH3、H2气体，量程范围0～100sccm，控制精度<±1% 3、前驱物钢瓶具有独立加热、保温及控温系统，加热温度200℃，控制精度±1℃ 4、独立前驱物通道系统：6路完全独立的管道 | |
