GSE S200 感应耦合等离子体刻蚀机具有稳定可靠的工艺性能、宽阔的工艺窗口和良好的工艺兼容性，主要用于 直径 8 英寸圆片及向下兼容（8"、6"、4"、2"及以下尺寸的整片及不规则小片）的多功能刻蚀。 GSE S200 感应耦合等离子体刻蚀机是感应耦合高密度等离子体干法刻蚀机（Inductively Coupled Plasma Etcher）， 采用半导体刻蚀机的成熟技术，独特设计的等离子体源，实现了对腔室内等离体密度的均匀控制，满足刻蚀工艺的要 求。 GSE S200 感应耦合等离子体刻蚀机采用模块化设计，整机包括工艺模块（PM: Process Module）和传输模块（TM: Transfer Module）。晶片在工艺模块内进行刻蚀，工艺时，在晶片上方产生等离子体，对晶片进行刻蚀。传输模块装有 机械手，实现晶片在其和工艺模块之间的传输。 GSE S200 感应耦合等离子体刻蚀机具备智能化的软件操作系统，实现单片晶圆的自动刻蚀工艺。