规格型号

Orion Nanofab

仪器当前放置位置

厦门大学翔安校区能源材料大楼1号楼负一楼1044

仪器功能

可实现从纳米到百微米多尺度的图形化加工和精修，可实现非导电性、磁性样品，高景深样品的高精度二次电子成像，可实现样品截面切割和截面成像观察，应用于各种微纳结构的加工制备以及MEMS、集成电路、光学器件的失效分析表征等

性能指标

He离子束成像分辨率≤0.50nm，加工精度≤10nm；Ne离子束成像分辨率≤1.9nm，加工精度10nm~50nm；Ga离子束成像分辨率≤3nm，加工精度≤30nm；配置Pt、W气体沉积系统和纳米机械手，可实现金属沉积和样品转移

样品要求

样品最大尺寸不超过46mm，样品高度不超过5mm

仪器说明

1、离子源和镜筒：产生离子束和控制离子束聚焦、偏转，实现离子束加

2、真空系统：提供离子束工作所需的高真空腔室环境

3、样品台及其位移控制系统：实现样品台的高精度移动、旋转和倾转

4、二次电子探测器：收集二次电子，对样品进行显微成像

5、Flood Gun 系统：对样品表面进行电中和，避免不导电样品表面的电荷积累

   论文描述模板

样品加工使用Nanofab (Carl Zeiss) 聚焦离子束纳米加工系统。仪器配置He，Ne，Ga三束离子，用于不同尺度。离子束加速电压为30 kV。

The sample was processed by using the focused ion beam nanofabrication system Nanofab (Carl Zeiss), which equipped with He, Ne and Ga beams for sample processing at various scales. The acceleration voltage of Ion beam was 30 kV.