基本信息

  • 生产厂商 江苏鲁汶仪器有限公司
  • 资产编号
  • 资产负责人 ----
  • 购置日期2020-12-15
  • 仪器产地江苏徐州
  • 仪器供应商江苏鲁汶仪器有限公司
  • 购买经办人
  • 主要配件 1. ICP反应腔室；2. load-lock预真空腔室；3. 射频源系统；4. 真空系统；5. 气路单元；6. 冷切单元
  • 主要参数1、可以装载最大样品为8英寸基片单片装载，可以向下兼容6寸，3寸，4寸以及更小尺寸以及碎片，性能稳定； 2、下电极配置水冷和He背冷装置，精确控制下电极工艺温度 3、反应腔室的基础真空度:＜5×10-6 Torr;反应腔室真空漏率＜1mT/min，预真空室检漏率＜10mT/min；系统启动30分钟内本底真空度<2×10-5 Torr； 4、O2、CF4、CHF3、SF6、Ar、N2气路； 5、Si etch Etch rate>300nm/min；Selectivity (to PR)>3:1； Sidewall angle>85°，均匀性 ：<+/-5% over 4”@10mm去边 6、SiO2 etch Etch rate>100nm/min；Selectivity (to Cr)>20:1；Sidewall angle>85°，均匀性 ：<+/-5% over 4”@10mm去边 7、Si3N4 etch Etch rate>70nm/min；Selectivity (to Cr)>20:1；Sidewall angle>85°，均匀性 ：<+/-5% over 4”@10mm去边

仪器介绍


仪器名称电感耦合等离子刻蚀机
规格型号Leuven HAASRODE-E200A
仪器放置位置厦门大学翔安校区能源材料大楼1号楼1层-微纳制造中心-实验室1
仪器功能介绍通过感应耦合（ICP）方式产生高密度高功率等离子体，能兼容SiO2和SiN，SI刻蚀工艺，实现二维材料的刻蚀加工
性能指标

  1. Si etch Etch rate>300nm/min；Selectivity (to PR)>3:1；Sidewall angle>85°，均匀性 ：<+/-5% over 4”@10mm去边 

  2. SiO2 etch Etch rate>100nm/min；Selectivity (to Cr)>20:1；Sidewall angle>85°，均匀性 ：<+/-5% over 4”@10mm去边 

  3. Si3N4 etch Etch rate>70nm/min；Selectivity (to Cr)>20:1；Sidewall angle>85°，均匀性 ：<+/-5% over 4”@10mm去边


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样品要求

  1. 8寸及以下；

  2. 反应生成物为气体；

仪器说明

  1. ICP反应腔室 (6061材料,表面硬质阳极氧化,含He背冷);

  2. 干泵( 抽速:100m³/h-Edwards);

  3. 分子泵( 含分子泵控制器-Edwards);

  4. 射频电源(ICP激励电源13.56MHZ，1.2KW射频电源及自动匹配器；偏压电源13.56MHZ，1KW射频电源及自动匹配器，AE);

  5. 工艺硅检测(满量程0.1Torr -inficon);

  6. 集成调压阀(650系列集成调压阀 VAT);

  7. Chiller(-30～130℃可控 Julabo);

  8. Load Lock传送腔室(一套门阀以及一组机械手 江苏鲁汶，腔室内接送片装置);

  9. O2、CF4、CHF3、SF6、Ar、N2气路;

  10. 机械泵(北仪优成);

  11. 全量程规 (MPG-400系列宽量程压力规 Inficon，5Torr真空计 Inficon)