| 仪器名称 | 电感耦合等离子体增强型化学气相沉积系统（ICPECVD） Inductively coupled plasma enhanced chemical vapor deposition（ICP-PECVD） |
| 规格型号 | 德国Sentech SI 500D |
| 仪器放置位置 | 厦门大学翔安校区能源材料大楼1号楼1层-微纳制造中心-实验室1 |
| 仪器功能介绍 | 该设备主要适用于在半导体（硅和三五化合物）、氧化硅和有机（聚合物和光刻胶）衬底上，用高密度等离子体沉积高质量的绝缘介质膜（SiO2, Si3N4和SiOxNy）、非晶硅膜和碳化硅膜 |
| 性能指标 | 1、适用于最大8英寸晶圆，并向下兼容6英寸、4英寸和更小不规则片； 2、工作温度：室温~300°C，典型沉积温度130°C； 3、ICP功率源13.56MHz，~1200W；下电极偏压源13.56Mhz，~300W； 4、膜厚均匀性(片内)≤±3%(4'')， ≤±5%(8'') ； 5、膜厚重复性(片间)≤±3%； |
| 样品要求 | 1、样片直径可为8英寸、6英寸、4英寸、更小的晶圆或不规则碎片；不规则碎片不小于10mm x 10mm； 2、如需在整片晶圆上沉积，则需额外提供用于工艺试验、SEM电镜检测的样片（可为碎片、或可破片的晶圆）； |
| 仪器说明 | 1、该设备构成：反应腔、上电极（ICP源）、下电极（载物台）、真空系统、气路系统、射频源、预真空室、控制机柜、软件、配电箱等； 2、配置下电极偏压选项，主要用于改善台阶覆盖、实现无空穴的沟槽填埋Trench filling； 3、配有用于6英寸晶圆、4英寸晶圆的夹具（晶圆直接背氦冷却）、用于更小晶圆或不规则碎片的托盘； |
