| 仪器名称（中文/英文） | 电子束曝光系统 Electron beam lithography |
| 规格型号 | Zeiss sigma300+Raith ELPHY Quantum |
| 仪器放置位置 | 厦门大学翔安校区能源材料大楼1号楼 微纳制造中心实验室4 |
| 仪器功能介绍 | 1、获取样品的微纳米级高分辨形貌； 2、可进行二次电子与背散射电子成像； 3、光刻精度小于100nm |
| 性能指标 | 1、分辨率：二次电子成像，1nm@15kV/1.6nm@1kV; 2、光刻精度小于100nm |
| 样品要求 | 1、样品中不得含有水分，多孔类或易潮解的样品，需进行真空干燥处理，生物样品需进行冷冻干燥制样； 2、样品应具有导电性，若样品不导电或导电性差，则需要自行镀金、铂碳等导电膜的处理。 3、送样测试建议提供文献图片和符合要求的图片，或填写详细测试预约表，每个区域提供3-4张不同放大倍数满足测试要求的图片，如不能满足要求，拍摄多区域图像证实样品真实情况，寄送样品质量应大于20mg。 |
| 仪器说明 | 1、该仪器设备配有独立的二次电子探测器（ET和Inlens）和背散射电子探测器（HDBSD），可选择接受二次电子、背散射电子进行成像 2、EBL系统，光刻精度小于100nm |
