| 仪器名称（中文/英文） | 分子束外延薄膜制备系统（MBE） Molecular beam epitaxy |
| 仪器状态 | 在用 |
| 规格型号 | 费勉，定制 |
| 仪器放置位置 | 能原材料大楼5137 |
| 仪器功能介绍 | 可外延生长Pt, Au, Pd等金属单晶薄膜，Ga2O3, ITO, TiO2等氧化物半导体薄膜以及GaN, InN等半导体薄膜，用于二维材料、量子器件、超导、半导体、纳米器件、光学及其他材料薄膜沉积研发 |
| 性能指标 | 1、适用1英寸及以下衬底； 2、衬底加热可达950℃； 3、配备3套低温蒸发源（100~1100℃）,控温精度±0.1℃，坩埚容量10cc 4、配套2套中温蒸发源（300~1500℃）,控温精度±0.1℃，坩埚容量10cc 5、腔体本底真空优于5x10-10mbar（完全烘烤后） |
| 样品要求 | 样片直径应为1英寸以下的晶圆或不规则碎片； |
| 仪器说明 | 1、配备15KeV高能电子衍射系统和图像采集CCD，能够检测薄膜生长，实现原子层级精准控制,电子束光斑大小＜70μm，最大电子束束流340μA； 2、配备射频等离子源（433MHz），可实现氧、氮等离子体的产生； 3、配备电子束蒸发源：Max高压是2kV，加热丝灯丝电流Max4.5A，束流稳定性＜0.01A/s=0.2层/min； 4、配备液化型超高纯臭氧系统，液化池出口臭氧浓度＞99.5%，最大臭氧浓度15% |
