基本信息

  • 生产厂商 合肥致真精密设备有限公司
  • 资产编号
  • 资产负责人 林露根
  • 购置日期2025-08-06
  • 仪器产地中国
  • 仪器供应商北京时代天启真空科技有限公司
  • 购买经办人林露根
  • 主要配件 1.溅射室：真空腔体、样品台、阴极及电源、低温泵、干泵系统及真空测量系统等 2.进样室：真空腔体、6 层样品架、样品传输系统、分子泵、干泵系统及真空测量系统等 3.控制系统：电控系统及操作软件 4.水电气系统 供电系统、气路系统、冷却系统及照明系统等
  • 主要参数1.适用于8英寸以下晶圆； 2.配有750W射频源、 1200W直流源以（支持脉冲模式）； 3.配有气体O2、Ar和N2； 4.膜厚均匀性(片内)±2%(6”)，±3%(8”)； 5.可溅射Cr、Al、Pt、Au、Ag、W、TiW、TiN、SixNy氮化薄膜及ITO薄膜； 6.支持500℃原位退火，样品台带水冷功能； 7.单次支持最多6盘样品逐一自动作业，支持镀膜前Dryclean功能 8.支持单靶溅射及双靶共溅射

仪器介绍

本设备属于物理气相沉积系统，利用磁控溅射镀制高质量薄膜。可溅射Cr、Al、Pt、Au、Ag、W、TiW、TiN、SixNy氮化薄膜及ITO薄膜。

仪器名称磁控溅射（TREC致真）
    Magnetron Sputter System
规格型号MSI-100-HV
仪器放置位置厦门大学翔安校区能源材料大楼1号楼1139-微纳制造中心-实验室1
仪器功能介绍磁控溅射可溅射Cr、Al、Pt、Au、Ag、W、TiW、TiN、SixNy氮化薄膜及ITO薄膜
性能指标1、设备适用于最大8寸，可兼容8寸以下包括碎片
2、膜厚均匀性(片内)±2%(6寸)，±3%(8寸)
3、样品台支持加热功能及原位退火功能（最大温度500℃），样品台支持水冷可降低成膜温度，样品台旋转速度0~20rpm
4、配备4个4寸圆形共焦溅射靶枪(3mm≤靶材厚度≤6mm)，溅射方向从上往下（靶材在上、样品在下）
5、配备一组射频电源(750W)，两组直流脉冲电源(2000W)，一组射频偏压电源350W,支持镀膜前预清洗
6、配备多片进样室，单次最多6层样品自动进出样执行镀膜作业
样品要求1、样品最大8寸，可兼容8寸以下及碎片
2、预约前需提前与管理员确认是否有相应镀膜靶材
3、样品高度（厚度）小于6mm
4、制样时应提供详细的样品说明（包括衬底材质、尺寸、表面状况等）和制样要求（包括沉积膜种类、沉积功率、沉积厚度、膜层性能要求等）
仪器说明1、设备配有低温泵、独立真空系统
2、配有4个4寸圆形共焦靶枪，可实现双靶共溅射
3、基片可旋转，转速度0-20rpm；
4、配备四路气体(氧气（50sccm）、氮气（50sccm）、氩气（50sccm和100sccm），MFC控制精度±1%，设置精度0.1sccm。